ICP光譜儀（ICP-AES/OES），主要用于微量/痕量元素的分析，可分析的元素為大多數(shù)的金屬和硅，磷等少量的非金屬，共72種。廣泛應用于稀土、貴金屬、合金材料、電子產(chǎn)品、醫(yī)藥衛(wèi)生、冶金、地質(zhì)、石油、化工、商檢、環(huán)保以及釹鐵硼、硅、硅鐵、鎢、鉬等行業(yè)分析檢測，可對待測樣品進行定性或從超微量到常量的定量分析。如何檢測工作氣流量對ICP光譜儀工作的影響？

　　在ICP光譜分析中，載氣不僅是氣溶膠的運輸氣體，還參與對原子的激發(fā)過程，與ICP參數(shù)一起決定者觀測區(qū)的有限激發(fā)能量。在實際工作中，根據(jù)分析譜線的激發(fā)電位(同時也要考慮其他干擾效應)，可以通過控制RF功率和調(diào)節(jié)載氣流量來達到高激發(fā)效率，從而提高ICP光譜分析的分析性能。

　　工作氣流量由載氣，冷卻氣和輔助氣等3路獨立氣體進行控制。其中，載氣(霧化氣)流量是影響ICP光譜分析的重要參數(shù)之一，而冷卻氣和輔助氣的波動對譜線強度影響不大。載氣流量選擇以較小為好，因為，載氣流量增大使溶液的吸出速率增大，進入等離子體的分析物量增大，霧化去溶干擾增大，并且使樣品過分稀釋，使其在icp通道中的平均停留時間縮短，不利于激發(fā)電離過程的完成。

　　載氣流量的大小，將直接影響等離子體中心的通道溫度、電子密度及分析物在等離子體中心通道的停留時間。同時載氣流量的大小也會影響到試液提升量的多少、霧化效率的高低和霧滴直徑的大小，會導致通道中的樣品過分地稀釋，在等離子體停留時間減少和通道中心部位的溫度下降等現(xiàn)象發(fā)生，從而造成譜線強度的下降的后果。

　　載氣流量值決定氬氣通過霧化器的速度，直接影響樣品引入的速度和霧化的均勻性。通過調(diào)節(jié)載氣流量值，使待測元素的靈敏度和準確度達到最佳。在ICP光譜儀分析過程中，操作者要根據(jù)霧化器的具體參數(shù)并結(jié)合RF功率和分析譜線的激發(fā)電位做相應的條件實驗，根據(jù)條件實驗進行載氣流量參數(shù)的選擇，并將此參數(shù)輸入軟件分析條件設置中，并在樣品測試過程中保持其條件一致。